求教VASP说明的含义
VASP说明里有这么一句话：VASP中的方法基于有限温度下的局域密度近似（用自由能作为变量）以及对每一MD步骤用有效矩阵对角方案和有效Pulay混合求解瞬时电子基态。这些技术可以避免原始的Car-Parrinello方法存在的一切问题，而后者是基于电子、离子运动方程同时积分的方法。
我知道CPMD是基于电子离子运动分别积分，但是为什么VASP有限温度下LDA解决了CPMD的一切问题？这个一切问题指的是什么，在VASP中又是怎么解决的呢？请教大家了。
CPMD 用的是on the fly 的势，处理金属体系会面临问题，而VASP 则没有这个问题。不会出现研究体系和热库脱耦合的情况。 嗯，能解释一下onthe fly的势是什么意思么？我知道的CPMD用的是赝势，和abinit、pwscf等软件是一样性质的，这个势是有什么问题么？还有热浴脱耦合的情况，我认为只要严格控制电子和离子温度，应该可以做到二者运动的分离不会出现什么问题。VASP是基于BOMD吧？那么这个有限温度DFT是指什么呢？
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