最近在做相变存储器的仿真模拟，尝试了最简单的结构，文献中说加0.8mA、1.2mA和1.3mA，宽度为50ns的脉冲，我在comsol焦耳热模块中添加了“终端”->“电流”，整个器件的模拟温度是常温；而我用0.8V的电压脉冲是能得到和文献一样的结果的。
1. 焦耳热模块是这样加电流脉冲的吗？
2. 相变存储器件仿真的时候，热边界条件上下电极都设置为常温273K是为什么呢？上下电极不会发热吗？热模拟图为什么只显示GST附近的温度变化呢？

最近在做相变存储器的仿真模拟，尝试了最简单的结构，文献中说加0.8mA、1.2mA和1.3mA，宽度为50ns的脉冲，我在comsol焦耳热模块中添加了“终端”->“电流”，整个器件的模拟温度是常温；而我用0.8V的电压脉冲是能得到和文献一样的结果的。
1. 焦耳热模块是这样加电流脉冲的吗？
2. 相变存储器件仿真的时候，热边界条件上下电极都设置为常温273K是为什么呢？上下电极不会发热吗？热模拟图为什么只显示GST附近的温度变化呢？